PDTB123YT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
94 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
40 руб.
от 10 шт. —
23 руб.
от 20 шт. —
14.47 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 188 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Электроэлемент
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Технические параметры
| Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3 mm |
| Другие названия товара № | 934058983215 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.219 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Base Product Number | PDTB123 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 250mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Input Resistor | 2.2 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 0.22 |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 115 КБ
Datasheet PDTB123YT,215
pdf, 234 КБ
Datasheet PDTB123YT,215
pdf, 200 КБ
Datasheet PDTB123YT.215
pdf, 198 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
