SPA20N60C3, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 330 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 330 руб.
Описание
SPA20N60 - CoolMOS, 20.7A, 600V, 0.19ohm, N-Channel, Power MOSFET
Технические параметры
| Монтаж | THT |
| Мощность | 34.5Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 600В |
| Полярность | полевой |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Сопротивление в открытом состоянии | 190мОм |
| Технология | CoolMOS™ |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 13.1А |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Fall Time: | 4.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20.7 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220FP-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | SP000216354 SPA2N6C3XK SPA20N60C3XKSA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 34.5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 87 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 67 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Вес, г | 2.17 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 693 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
