NCP5106BDR2G, Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
380 руб.
от 10 шт. —
310 руб.
от 100 шт. —
203 руб.
от 500 шт. —
179.37 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 380 руб.
Посмотреть аналоги3
Описание
Half Bridge 2 250mA 85ns 35ns 10V~20V 500mA SOIC-8-150mil Gate Drive ICs ROHS
Технические параметры
Driven Configuration | Half Bridge |
Fall Time | 35ns |
Load Type | IGBT;MOSFET |
Number of Drivers | 2 |
Operating Temperature | -40℃~+125℃@(Tj) |
Peak Output Current(sink) | 500mA |
Peak Output Current(source) | 250mA |
Rise Time | 85ns |
Supply Voltage | 10V~20V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 124 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Контроллеры и мониторы питания»
Типы корпусов импортных микросхем