SIR184DP-T1-RE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 руб.
от 2 шт. —
520 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 580 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 73A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:73A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0047ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.4V
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 20.7A(Ta), 73A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1490pF @ 30V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | PowerPAKВ® SO-8 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W(Ta), 62.5W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 10A, 10V |
| Series | TrenchFETВ® Gen IV |
| Supplier Device Package | PowerPAKВ® SO-8 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0047Ом |
| Power Dissipation | 62.5Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 73А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.4В |
| Рассеиваемая Мощность | 62.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0047Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.074 |
Техническая документация
Datasheet SIR184DP-T1-RE3
pdf, 382 КБ
Документация
pdf, 380 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
