SIDR668ADP-T1-RE3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

860 руб.

от 2 шт. — 780 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 860 руб.

Номенклатурный номер: 8007468644

Электроэлемент

MOSFET, N-CH, 100V, 104A, 150DEG C, 125W ROHS COMPLIANT: YES

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.004Ом
Power Dissipation	125Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Gen IV
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	104А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	125Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.004Ом
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK SO-DC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный

pdf, 174 КБ

Мы рекомендуем