G3R30MT12J, Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 1200В 96А, 459Вт

Фото 1/2 G3R30MT12J, Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 1200В 96А, 459Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 шт. со склада г.Москва, срок 11 дней
6 330 руб.
от 2 шт.6 040 руб.
от 3 шт.5 940 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 330 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8020629700
Артикул: G3R30MT12J

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Транзисторы на основе карбида кремния (SIC)
Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 1200В 96А, 459Вт

Технические параметры

Корпус TO-263-7
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.03Ом
Power Dissipation 459Вт
Количество Выводов 7вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора Single
Линейка Продукции G3R
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 1.2кВ
Непрерывный Ток Стока 96А
Пороговое Напряжение Vgs 2.69В
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Вес, г 2.42

Техническая документация

Datasheet G3R30MT12J
pdf, 1323 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.