G3R160MT12D, MOSFET 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET

G3R160MT12D, MOSFET 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2974 шт., срок 6-8 недель
1 840 руб.
от 10 шт.1 560 руб.
от 30 шт.1 500 руб.
от 120 шт.1 219 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 840 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8007487663
Артикул: G3R160MT12D

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.16Ом
Power Dissipation 123Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора Single
Линейка Продукции G3R
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 1.2кВ
Непрерывный Ток Стока 22А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.69В
Рассеиваемая Мощность 123Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.16Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Вес, кг 38

Техническая документация

Datasheet G3R160MT12D
pdf, 1135 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.