SiHB12N60E-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
860 руб.
от 2 шт. —
740 руб.
от 5 шт. —
658 руб.
от 10 шт. —
616.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 860 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 7,8А, 147Вт, D2PAK
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Pd - рассеивание мощности | 147 W |
| Qg - заряд затвора | 58 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| RoHS | Подробности |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 20 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 38 ns |
| Время спада | 38 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.8 S |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | E |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Торговая марка | Vishay/Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | D2PAK-2 |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 147 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms |
| Rise Time: | 19 ns |
| Series: | E |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Документация
pdf, 210 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
