G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт., срок 6 недель
12 930 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 930 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Drain current | 90A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Gate charge | 219nC |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 20mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 542W |
| Pulsed drain current | 240A |
| Technology | G3R™, SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.393 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 883 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
