G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

281 шт., срок 6 недель

3 560 руб.

от 3 шт. — 2 770 руб.

от 10 шт. — 2 270 руб.

от 30 шт. — 2 065.99 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 560 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8007502224

Артикул: G3R75MT12D

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.075Ом
Power Dissipation	207Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	G3R
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	41А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.69В
Рассеиваемая Мощность	207Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.075Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	6.08