G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

926 шт., срок 6 недель

2 440 руб.

от 3 шт. — 1 950 руб.

от 10 шт. — 1 580 руб.

от 30 шт. — 1 416.81 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 440 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8007502320

Артикул: G3R160MT12D

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.16Ом
Power Dissipation	123Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	G3R
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	22А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.69В
Рассеиваемая Мощность	123Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.16Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	1.393

pdf, 1135 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем