IXTQ130N20T, Транзистор: N-MOSFET, Trench™, полевой, 200В, 75А, Idm: 320А, 830Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 660 руб.
от 3 шт. —
2 110 руб.
от 10 шт. —
1 700 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 660 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, Trench™, полевой, 200В, 75А, Idm: 320А, 830Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Drain current | 75A |
| Drain-source voltage | 200V |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Gate charge | 150nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 16mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 830W |
| Pulsed drain current | 320A |
| Reverse recovery time | 150ns |
| Technology | Trench™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 5.17 |
Техническая документация
Datasheet IXTH130N20T
pdf, 178 КБ
