Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs) › Infineon › BSC009NE2LSATMA1

BSC009NE2LSATMA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

630 руб.

от 10 шт. — 480 руб.

от 100 шт. — 356 руб.

от 500 шт. — 281.20 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 630 руб.

Номенклатурный номер: 8007553581

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSC009NE2LSATMA1 от производителя INFINEON является высококачественным компонентом для SMD монтажа. С током стока в 100 А и напряжением сток-исток 25 В, он идеально подходит для мощных применений. Мощность устройства составляет 96 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 0,0009 Ом, что обеспечивает высокую эффективность при минимальных потерях энергии. Корпус PG-TDSON-8 обеспечивает надежную защиту и удобство монтажа. Продукт BSC009NE2LSATMA1 отлично подходит для широкого спектра областей применения, от автоматизации до силовой электроники. Его уникальные характеристики делают BSC009NE2LSATMA1 предпочтительным выбором для профессионалов, ищущих качественные и надежные компоненты. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	100
Напряжение сток-исток, В	25
Мощность, Вт	96
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.0009
Корпус	PG-TDSON-8

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1V
Maximum Continuous Drain Current	100 A
Maximum Drain Source Resistance	900 μΩ
Maximum Drain Source Voltage	25 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	96 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TSDSON
Pin Count	8
Series	OptiMOS
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	72 nC @ 10 V
Width	5.35mm