TK10P60W,RVQ

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4500 шт., срок 7-9 недель

870 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 870 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007561319

Бренд: Toshiba

МОП-транзистор N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC

Id - непрерывный ток утечки	9.7 A
Pd - рассеивание мощности	80 W
Qg - заряд затвора	20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	380 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.7 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	22 ns
Время спада	5.5 ns
Высота	2.3 mm
Длина	6.5 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	TK10P60W
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	75 ns
Типичное время задержки при включении	45 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	TO-252-3
Ширина	5.5 mm