IPB70N10S312ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 380 руб.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В
Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В сертифицированы по стандарту AEC-Q101 для автомобильных приложений и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D- PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти полевые МОП-транзисторы идеально подходят для систем впрыска топлива, приложений беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания 48 В, снижающей выбросы CO 2, известной как Board Net.
Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В сертифицированы по стандарту AEC-Q101 для автомобильных приложений и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D- PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти полевые МОП-транзисторы идеально подходят для систем впрыска топлива, приложений беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания 48 В, снижающей выбросы CO 2, известной как Board Net.
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 8 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 70 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-263-3 |
Part # Aliases: | IPB70N10S3-12 SP000261246 |
Pd - Power Dissipation: | 125 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 66 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.4 mOhms |
Rise Time: | 8 ns |
Series: | XPB70N10 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
Maximum Drain Source Resistance | 11.3 mO |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 185 КБ