BC858BW-G

BC858BW-G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
82 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.56 руб.
от 100 шт.25 руб.
от 500 шт.20.22 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 246 руб.
Номенклатурный номер: 8007596044
Бренд: Comchip Technology

Технические параметры

Brand: Comchip Technology
Collector- Base Voltage VCBO: 30 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 650 mV
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hFE Min: 220
DC Current Gain hFE Max: 475
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Comchip Technology
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SOT-323-3
Pd - Power Dissipation: 150 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 145 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов