DMC2004DWK-7, MOSFET 250mW 20V

Фото 1/3 DMC2004DWK-7, MOSFET 250mW 20V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт.78 руб.
от 100 шт.41 руб.
от 1000 шт.32.79 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.
Номенклатурный номер: 8007694598
Артикул: DMC2004DWK-7
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор полевой DMC2004DWK-7 от DIODES INCORPORATED является высококачественным компонентом для современных электронных схем. Монтаж данного транзистора осуществляется с использованием SMD технологии, что гарантирует его легкую интеграцию в печатные платы. Ток стока достигает 0,54 А, напряжение сток-исток составляет 20 В, а мощность - 0,25 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,55 Ом. Этот компонент представляет собой N+P-MOSFET транзистор в корпусе SOT363, что делает его идеальным выбором для различных областей применения, где требуются компактные и эффективные решения. Код товара DMC2004DWK7 должен стать ключевым при выборе для проектов, требующих надежных и долговечных компонентов. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N+P-MOSFET
Монтаж SMD
Ток стока, А 0.54
Напряжение сток-исток, В 20
Мощность, Вт 0.25
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.55
Корпус SOT363

Технические параметры

Case SOT363
Drain current 0.43/-0.54A
Drain-source voltage 20/-20V
Features of semiconductor devices ESD protected gate
Gate-source voltage ±8V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Kind of transistor complementary pair
Manufacturer DIODES INCORPORATED
Mounting SMD
On-state resistance 0.55/0.9Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 0.25W
Type of transistor N/P-MOSFET
Channel Mode Enhancement
Channel Type N, P
Maximum Continuous Drain Current 430 mA, 540 mA
Maximum Drain Source Resistance 2 Ω, 900 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 20 V
Maximum Gate Source Voltage -8 V, +8 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 250 mW
Minimum Operating Temperature -65 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-363
Pin Count 6
Transistor Configuration Isolated
Transistor Material Si
Width 1.35mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 351 КБ
Datasheet
pdf, 346 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем