IXBF20N300, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 34А, 150Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 740 руб.
от 3 шт. —
13 380 руб.
от 10 шт. —
12 150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 740 руб.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 34А, 150Вт Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 21.34 mm |
Длина | 20.29 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | BIMOSFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 3 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 34 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 34 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 25 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | ISOPLUS-i4-3 |
Ширина | 5.21 mm |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet IXBF20N300
pdf, 197 КБ
IXBF20N300
pdf, 191 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов