IPW80R280P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 10,6А, 101Вт, PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 420 руб.
от 3 шт. —
1 250 руб.
от 10 шт. —
969 руб.
от 30 шт. —
795.33 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 420 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | PG-TO247-3 |
| Drain current | 10.6A |
| Drain-source voltage | 800V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate charge | 36nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.28Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 101W |
| Technology | CoolMOS™ P7 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 930 КБ
