HIP2100IBZ

Фото 1/4 HIP2100IBZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 6-11 дней
1 360 руб.
от 2 шт.1 230 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 360 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8007824457
Бренд: Renesas Technology

Описание

Электроэлемент
Описание IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -2?2А; Ch: 2; 9?14ВDC; 100В Характеристики
Категория Микросхема
Тип драйвер
Вид MOSFET

Технические параметры

Operating Temp Range -55C to 150C
Packaging Rail/Tube
Brand: Renesas/Intersil
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 980
Fall Time: 500 ns
Manufacturer: Renesas Electronics
Maximum Operating Temperature: +125 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Drivers: 2 Driver
Number of Outputs: 2 Output
Operating Supply Current: 1.5 mA
Operating Supply Voltage: 9 V to 14 V
Output Current: 2 A
Package / Case: SOIC-8
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 1.3 W
Product Category: Gate Drivers
Product Type: Gate Drivers
Product: Half-Bridge Drivers
Rise Time: 500 ns
Series: HIP2100
Subcategory: PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max: 14 V
Supply Voltage - Min: 9 V
Technology: Si
Type: High-Side, Low-Side
Bridge Type Half Bridge
High and Low Sides Dependency Independent
Logic Type CMOS
Mounting Type Surface Mount
Number of Drivers 2
Number of Outputs 2
Output Current 2 A
Package Type SOIC
Pin Count 8
Polarity Non-Inverting
Supply Voltage 14V
Topology Half Bridge
кол-во в упаковке 94
Вес, г 0.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 664 КБ
Datasheet
pdf, 381 КБ
Datasheet HIP2100EIBZ
pdf, 671 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки»
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.