Реклама
Рекламодатель: АО «ЧИП и ДИП»
erid: LjN8KJZnZ
erid: LjN8KJZnZ
GS8256436GD-333I, SRAM 2.5/3.3V 16M x 18 288M
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт., срок 6-8 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
104 400 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 104 400 руб.
Описание
Semiconductors\Memory ICs\SRAM
SyncBurst SRAMsGSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.
Технические параметры
| Access Time: | 4.5 ns |
| Brand: | GSI Technology |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Interface Type: | Parallel |
| Manufacturer: | GSI Technology |
| Maximum Clock Frequency: | 333 MHz |
| Maximum Operating Temperature: | +100 C |
| Memory Size: | 288 Mbit |
| Memory Type: | SDR |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Organization: | 8 M x 36 |
| Package / Case: | BGA-165 |
| Packaging: | Tray |
| Product Category: | SRAM |
| Product Type: | SRAM |
| Series: | GS8256436GD |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Supply Current - Max: | 540 mA, 740 mA |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 2.3 V |
| Tradename: | SyncBurst |
| Type: | Pipeline/Flow Through |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 425 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
