IKA10N60TXKSA1, , биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pa

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

160 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 10 шт. — 150 руб.

от 20 шт. — 140 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 800 руб.

Номенклатурный номер: 8007866971

Артикул: IKA10N60TXKSA1, , биполярный транзистор с изолиров

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные

Корпус	TO-220F
Время	задержки включения/выключения-12/215 нс
Диапазон рабочих температур	-40…+175 °С
Максимально допустимое напряжение	коллектор-эмиттер(VCEO)-600 V; напряжение затвор-эмиттер-20 V
Максимальный ток	коллектора(Iк max)-11.7 А
Мощность	рассеиваемая(Pd)-30 Вт
Напряжение	насыщения коллектор-эмиттер-1.5 V
Описание	600V, 11.7A, 30W IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)
Способ монтажа	Through Hole
Тип	IGBT
Ток утечки	затвор-эмиттер-100 nA
Упаковка	TUBE, 50 шт.
Вес, г	2

Мы рекомендуем