AOTF10B60D2, Транзистор: IGBT, 600В, 10А, 12Вт, TO220F, Eвыкл: 0,04мДж
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
410 руб.
от 5 шт. —
320 руб.
от 25 шт. —
249 руб.
от 250 шт. —
207.06 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 410 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 10А, 12Вт, TO220F, Eвыкл: 0,04мДж Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO220F |
| Collector current | 10A |
| Collector-emitter saturation voltage | 1.55V |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Gate charge | 9.4nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 12W |
| Pulsed collector current | 20A |
| Turn-off switching energy | 0.04mJ |
| Turn-off time | 124ns |
| Turn-on switching energy | 0.14mJ |
| Turn-on time | 26ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 1.79 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 721 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
