SI2306BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 3,5А, 0,8Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 25 шт. —
98 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 3,5А, 0,8Вт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.16 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 47@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | NRND |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | TrenchFET |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Fall Time (ns) | 6 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 3@5V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 305@15V |
Typical Rise Time (ns) | 12 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 |
Вес, г | 0.01 |