VBPW34S, Photodiodes Gullwing 430-1100nm +/-65 deg
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
113 руб.
от 1000 шт. —
102.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Точечный фотодиод, 940нм, 0,43-1,1мкм, 130°, Монтаж SMD
Технические параметры
Dark Current | 2nA (Typ) |
Maximum Operating Temperature | 100в„ѓ |
Minimum Operating Temperature | -40в„ѓ |
Spectral Range | 430nm~1100nm |
Wavelength | 940nm |
Brand | Vishay Semiconductors |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 100 ns |
Half Intensity Angle Degrees | 65 deg |
Height | 1.2 mm |
If - Forward Current | 50 mA |
Length | 6.4 mm |
Manufacturer | Vishay |
Mounting Style | SMD/SMT |
Noise Equivalent Power - NEP | 4E-14 W/sqrt Hz |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 215 mW |
Peak Wavelength | 940 nm |
Photocurrent | 55 uA |
Product | PIN Photodiodes |
Product Category | Photodiodes |
Rise Time | 100 ns |
RoHS | Details |
Type | Silicon PIN Photodiode |
Vf - Forward Voltage | 1 V |
Vr - Reverse Voltage | 60 V |
Width | 3.9 mm |
Amplifier Function | No |
Diode Material | Si |
Maximum Wavelength Detected | 1100nm |
Minimum Wavelength Detected | 430nm |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 2 |
Package Type | GW |
Spectrums Detected | Infrared, Visible Light |
Wavelength of Peak Sensitivity | 940nm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 163 КБ
Datasheet
pdf, 163 КБ
Datasheet VBPW34S
pdf, 167 КБ
Документация
pdf, 163 КБ
BPW34S
pdf, 184 КБ