Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › NXP › PBSS8110Z.135

PBSS8110Z.135

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

20 руб.

Мин. кол-во для заказа 176 шт.

от 402 шт. — 17 руб.

от 1690 шт. — 14.73 руб.

Добавить в корзину 176 шт. на сумму 3 520 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8007956531

Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

Описание Транзистор биполярный TO261

Технические параметры

Корпус	TO261
кол-во в упаковке	1
Pd - рассеивание мощности	1400 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	/T3 PBSS8110Z
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	4000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.7 mm
Maximum Collector Base Voltage	120 V
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum DC Collector Current	1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.4 W
Minimum DC Current Gain	150
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223(SC-73)
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.2