IAUC100N10S5L040ATMA1, MOSFET MOSFET_(75V 120V(

Фото 1/2 IAUC100N10S5L040ATMA1, MOSFET MOSFET_(75V 120V(
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
790 руб.
от 10 шт.620 руб.
от 100 шт.440 руб.
от 250 шт.437.06 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 790 руб.
Номенклатурный номер: 8007962247
Артикул: IAUC100N10S5L040ATMA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В
Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В сертифицированы по стандарту AEC-Q101 для автомобильных приложений и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D- PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти полевые МОП-транзисторы идеально подходят для систем впрыска топлива, приложений беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания 48 В, снижающей выбросы CO 2, известной как Board Net.

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 5000
Fall Time: 21 ns
Id - Continuous Drain Current: 100 A
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TDSON-8
Packaging: Reel, Cut Tape
Part # Aliases: IAUC100N10S5L040 SP001646988
Pd - Power Dissipation: 167 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 78 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 4 Ohms
Rise Time: 3 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 30 ns
Typical Turn-On Delay Time: 6 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 100 A
Maximum Drain Source Voltage 20 V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SuperSO8 5x6
Pin Count 8
Вес, г 9

Техническая документация

Datasheet
pdf, 494 КБ
Datasheet
pdf, 494 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов