G2R1000MT17D

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней

2 510 руб.

от 2 шт. — 2 330 руб.

от 4 шт. — 2 220 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 510 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8007978190

Электроэлемент

Vds:1.7Kv; No. Of Pins:3Pins; Rds(On) Test Voltage:20V; Power Dissipation:53W Rohs Compliant: Yes |Genesic Semiconductor G2R1000MT17D

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 1000V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	139pF @ 1000V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-3
Power Dissipation (Max)	53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2A, 20V
RoHS Status	RoHS Compliant
Series	G2Rв„ў ->
Supplier Device Package	TO-247-3
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 2mA
Вес, г	8.9