IGB30N60H3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 110 руб.
от 2 шт. —
980 руб.
от 5 шт. —
895 руб.
от 10 шт. —
853.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 110 руб.
Описание
Электроэлемент
Infineon IGB30N60H3ATMA1 IGBT, 30 A 600 V, 3+Tab-Pin D2PAK (TO-263)
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Manufacturer | Infineon |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3XT SP000852240 |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | IGB30N60 |
| Technology | Si |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.95 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Part # Aliases: | IGB3N6H3XT SP000852240 IGB30N60H3ATMA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 187 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | HighSpeed 3 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Вес, г | 1.65 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1580 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
