BUK9M28-80EX, MOSFET BUK9M28-80E/ SOT1210/mLFPAK

Фото 1/2 BUK9M28-80EX, MOSFET BUK9M28-80E/ SOT1210/mLFPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4657 шт., срок 6-8 недель
260 руб.
от 10 шт.200 руб.
от 100 шт.147 руб.
от 500 шт.111.47 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8008027767
Артикул: BUK9M28-80EX
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

N-channel 80 V, 28 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33, Logic level N-channel MOSFET in an LFPAK33 (Power33) package using TrenchMOS technology.

Технические параметры

Automotive Standard AEC-Q101
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 33 A
Maximum Drain Source Resistance 70 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 80 V
Maximum Gate Source Voltage 15 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.45V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 75 W
Minimum Gate Threshold Voltage 0.5V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type LFPAK33
Pin Count 4
Transistor Configuration Single
Typical Gate Charge @ Vgs 6.1 nC @ 10 V
Width 2.6mm
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 723 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.