2N7002BK.215
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 1274 шт.
Добавить в корзину 1274 шт.
на сумму 3 822 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор MOSFET TO236
Технические параметры
| Корпус | to236 | |
| кол-во в упаковке | 3000 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 350 mA | |
| Pd - рассеивание мощности | 440 mW | |
| Qg - заряд затвора | 0.5 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 6 ns | |
| Время спада | 7 ns | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Продукт | MOSFET Small Signal | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET | |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 350mA | |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 370mW | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6О© @ 500mA,10V | |
| Transistor Polarity | N Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.1V @ 250uA | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 350 mA | |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 440 mW | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V | |
| Width | 1.4mm | |
| Вес, г | 0.041 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N7002BK,215
pdf, 732 КБ
Datasheet 2N7002BK,215
pdf, 167 КБ
Datasheet 2N7002BK.215
pdf, 722 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
