TN0620N3-G-P002

TN0620N3-G-P002
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
770 руб.
от 2 шт.640 руб.
от 5 шт.556 руб.
от 10 шт.517.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 770 руб.
Номенклатурный номер: 8008300875

Описание

Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current - (A) 0.25
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 6000@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 200
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Power Dissipation - (mW) 1000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~150
Packaging Tape and Reel
Pin Count 3
Standard Package Name TO-92
Supplier Package TO-92
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 110@25V
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Material Si
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.25
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 6000@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 200
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Part Status Active
PCB changed 3
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Typical Fall Time (ns) 20(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 110@25V
Typical Rise Time (ns) 8(Max)
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 20(Max)
Typical Turn-On Delay Time (ns) 10(Max)
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 578 КБ
Datasheet TN0620N3-G
pdf, 600 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов