APT68GA60B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 650 руб.
от 2 шт. —
4 430 руб.
от 3 шт. —
4 280 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 650 руб.
Описание
Электроэлемент
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 121A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 202A |
| Gate Charge | 298nC |
| IGBT Type | PT |
| Input Type | Standard |
| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 520W |
| Series | POWER MOS 8в(ў |
| Supplier Device Package | TO-247(B) |
| Switching Energy | 715ВµJ(on), 607ВµJ(off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 21ns/133ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Base Product Number | APT68GA60 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Package | Tube |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
Техническая документация
Datasheet APT68GA60B
pdf, 223 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
