RGS50TSX2DGC11, IGBT Transistors 10us Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Built-In FRD, Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
470 шт., срок 6-8 недель
2 680 руб.
от 10 шт. —
2 190 руб.
от 25 шт. —
1 860 руб.
от 100 шт. —
1 584.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 680 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 50А |
| Power Dissipation | 395Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGS50TSX2DGC11
pdf, 988 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
