NTE2916, Транзистор N-MOSFET, 200В, 50А, TO247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 6 недель
3 020 руб.
от 3 шт. —
2 410 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 020 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Drain current | 35A |
| Drain-source voltage | 200V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | NTE Electronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 300W |
| Pulsed drain current | 200A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 7.91 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 75 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![STW45NM50, Транзистор MOSFET N-канал 500В 45А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307885.jpg)
![STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
ST Microelectronics
3 520 руб.
![Транзистор 60R165CP, тип N, 192 Вт, корпус D2PAK [TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/126/DOC011126100.jpg)
![STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/964/DOC000964112.jpg)
