MT29F4G08ABAFAH4-IT:F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 820 руб.
от 2 шт. —
1 680 руб.
от 5 шт. —
1 560 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 820 руб.
Описание
Электроэлемент
Flash Memory, 4Gbit, -40 To 85Deg C Rohs Compliant: Yes |Micron MT29F4G08ABAFAH4-IT:F
Технические параметры
Programmable | Yes |
IC Case / Package | VFBGA |
Interfaces | Parallel |
Memory Configuration | 512M x 8bit |
Время Доступа | 16нс |
Количество Выводов | 63вывод(-ов) |
Конфигурация Флэш-памяти | 512М x 8бит |
Линейка Продукции | 3.3V SLC NAND Flash Memories |
Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
Максимальная Тактовая Частота | 50МГц |
Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальное Напряжение Питания | 2.7В |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Номинальное Напряжение Питания | 3.3В |
Плотность Памяти | 4Гбит |
Размер Памяти | 4Гбит |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | VFBGA |
Тактовая Частота | 50МГц |
Тип Flash Памяти | SLC NAND |
Тип Интерфейса ИС | Параллельный |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet MT29F4G08ABAFAH4-IT:F
pdf, 1230 КБ
Документация
pdf, 324 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем