AIGW40N65H5XKSA1, Транзистор: IGBT, 650В, 46А, 125Вт, TO247-3, Серия: H5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 860 руб.
от 5 шт. —
1 460 руб.
от 25 шт. —
1 190 руб.
от 100 шт. —
1 081.18 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 860 руб.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 46А, 125Вт, TO247-3, Серия: H5 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 250 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | AIGW40N65H5 SP001346886 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.66 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 74 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | TRENCHSTOP 5 H5 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nS |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO247-3 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 74 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
Maximum Power Dissipation | 250 W |
Package Type | PG-TO247-3 |
Pin Count | 3 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.66В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 74А |
Power Dissipation | 250Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 6.14 |
Техническая документация
Datasheet AIGW40N65H5XKSA1
pdf, 1787 КБ
Datasheet AIGW40N65H5XKSA1
pdf, 1728 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов