IKA08N65ET6XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 руб.
от 2 шт. —
420 руб.
от 5 шт. —
347 руб.
от 10 шт. —
320.04 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 530 руб.
Описание
Электроэлемент
IGBT, 650V, 11A, 33W, TO-220; DC Collector Current:11A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.5V; Power Dissipation Pd:33W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pin
Технические параметры
Channel Type | N |
Collector Current (DC) | 11(A) |
Configuration | Single |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Through Hole |
Operating Temperature (Max) | 175C |
Operating Temperature (Min) | -40C |
Operating Temperature Classification | Automotive |
Package Type | TO-220FP |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 3+Tab |
Rad Hardened | No |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 11А |
Power Dissipation | 33Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP IGBT6 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 3.06 |
Техническая документация
Datasheet IKA08N65ET6XKSA1
pdf, 2047 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов