IRLB4030PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 180А, 370Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 010 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 50 шт. —
720 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 10 100 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 180А, 370Вт, TO220AB Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 180A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11360pF @ 50V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 370W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 110A, 10V |
Series | HEXFETВ® |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±16V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 180 A |
Maximum Drain Source Resistance | 4 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 370 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 87 nC @ 4.5 V |
Width | 4.83mm |
Вес, г | 1.99 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Видео
Похожие товары