IGB30N60H3ATMA1, Транзистор: IGBT, 600В, 30А, 187Вт, D2PAK

IGB30N60H3ATMA1, Транзистор: IGBT, 600В, 30А, 187Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
880 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.600 руб.
от 200 шт.480 руб.
от 500 шт.425.91 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 4 400 руб.
Номенклатурный номер: 8008514024
Артикул: IGB30N60H3ATMA1

Описание

Описание Транзистор БТИЗ IGB30N60H3ATMA1 от производителя INFINEON является высокоэффективным компонентом для современной электроники. С монтажом типа SMD, данный IGBT транзистор обеспечивает ток коллектора до 30 А, поддерживая напряжение коллектор-эмиттер на уровне 600 В, что гарантирует его надежность и долговечность в условиях высоких нагрузок. С мощностью в 187 Вт и корпусом PG-TO263-3, он отлично подходит для широкого спектра применений, от энергетики до автомобильной промышленности. Уникальный код товара IGB30N60H3ATMA1 используется для удобства поиска и идентификации продукта в каталоге. Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT
Монтаж SMD
Ток коллектора, А 30
Напряжение коллектор-эмиттер, В 600
Мощность, Вт 187
Корпус PG-TO263-3

Технические параметры

Вес, г 1.67

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов