Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › BSP89,115, Транзистор полевой N-канальный ...

BSP89,115, Транзистор полевой N-канальный 240В 375мА

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

668 шт. со склада г.Москва, срок 11 дней

75 руб.

Мин. кол-во для заказа 7 шт.

от 35 шт. — 60 руб.

от 69 шт. — 56 руб.

от 137 шт. — 52 руб.

Добавить в корзину 7 шт. на сумму 525 руб.

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8008562621

Артикул: BSP89,115

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 240В 375мА

Технические параметры

Корпус	SOT-223
Id - непрерывный ток утечки	375 mA
Pd - рассеивание мощности	1.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	240 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	800 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	934018750115
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-223-3
Ширина	3.7 mm
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	2.8Ом
Power Dissipation	1.5Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	240В
Непрерывный Ток Стока	340мА
Пороговое Напряжение Vgs	2В
Рассеиваемая Мощность	1.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	2.8Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-223
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.151