IXFP56N30X3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 400 руб.
от 50 шт. —
1 690 руб.
от 100 шт. —
1 410 руб.
от 500 шт. —
1 236.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 400 руб.
Описание
HiPerFET™ Power MOSFETs IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 26 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 56 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 320 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 27 mOhms |
| Rise Time: | 26 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 64 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 316 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
