TPHR6503PL,L1Q
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38902 шт., срок 7-9 недель
630 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 630 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Trans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 393 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 0.65@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.1 |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Process Technology | U-MOSIX-H |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOP Advance |
| Typical Fall Time (ns) | 10 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 110 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 110@10V|52@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 7700@15V |
| Typical Rise Time (ns) | 12 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 616 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
