2SK208-R(TE85L,F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16676 шт., срок 7-9 недель
170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Технические параметры
Brand | Toshiba |
Configuration | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0 | 0.3 mA |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gate-Source Cutoff Voltage | -5 V |
Id - Continuous Drain Current | 6.5 mA |
Manufacturer | Toshiba |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SC-59-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 100 mW |
Product Category | JFET |
RoHS | Details |
Series | 2SK208 |
Transistor Polarity | N-Channel |
Unit Weight | 0.000282 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 10 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -30 V |
Channel Type | N |
Idss Drain-Source Cut-off Current | 0.3 to 0.75mA |
Maximum Drain Gate Voltage | -50V |
Maximum Drain Source Voltage | 10 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V |
Maximum Operating Temperature | +125 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-346(SC-59) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Width | 1.5mm |
Техническая документация
2SK208
pdf, 290 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2SK208-Y(TE85L,F)
pdf, 293 КБ
Документация
pdf, 292 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.