3SK293(TE85L,F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26229 шт., срок 6-8 недель
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
РЧ МОП-транзисторы N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 30 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая частота | 800 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 3SK293 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Small Signal MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-343-4 |
| Усиление | 22.5 dB |
| Brand | Toshiba |
| Configuration | Dual |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain | 22.5 dB |
| Id - Continuous Drain Current | 30 mA |
| Manufacturer | Toshiba |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Operating Frequency | 800 MHz |
| Package / Case | SOT-343-4 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Product Category | RF MOSFET Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | 3SK293 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Type | RF Small Signal MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12.5 V |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
