BC857W,115, Транзистор: PNP, биполярный, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323

Фото 1/3 BC857W,115, Транзистор: PNP, биполярный, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10030 шт., срок 7 недель
15 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.11 руб.
от 500 шт.7.10 руб.
от 3000 шт.4.73 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8008762735
Артикул: BC857W,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Другие названия товара № 934021830115
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 125
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 125 at 2 mA, 5 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-323-3
Ширина 1.35 mm
Base Product Number BC857 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-70, SOT-323
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package SOT-323
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 45V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 200mW
кол-во в упаковке 3000
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 369 КБ
Datasheet
pdf, 218 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.