Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF540NPBF

IRF540NPBF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

420 руб.

от 50 шт. — 300 руб.

от 100 шт. — 230 руб.

от 500 шт. — 181.77 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 420 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8008816227

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 33А, 140Вт, TO220AB Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Максимальная рабочая температура	+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока	33 A
Тип корпуса	TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности	130 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.69мм
Высота	8.77мм
Размеры	10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.54мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	11 ns
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	39 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	44 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток	100 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	71 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1960 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки	33 A
Pd - рассеивание мощности	140 W
Qg - заряд затвора	47.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	44 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	SP001561906
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	33A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	130W
Rds On - Drain-Source Resistance	44mО© @ 16A,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100V
Vgs - Gate-Source Voltage	4V @ 250uA
Крутизна характеристики S,А/В	21
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	44
Температура, С	-55…+175
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	33 A
Maximum Drain Source Resistance	44 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	130 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	71 nC @ 10 V
Width	4.69mm
Диапазон рабочих температур	-55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	33
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	44
Мощность	рассеиваемая(Pd)-130 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-2В
Описание	100V, 33A N-Channel MOSFET
Способ монтажа	Through Hole
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Заряд	затвора(Qg)-71 нКл
Максимальный ток	Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-33 A
Сопротивление	сток-исток открытого транзистора(Rds)-44 мОм
Вес, г	99