AUIRF7769L2TR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 720 руб.
от 10 шт. —
2 190 руб.
от 100 шт. —
1 590 руб.
от 500 шт. —
1 398.99 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 720 руб.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В
Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В сертифицированы по стандарту AEC-Q101 для автомобильных приложений и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D- PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти полевые МОП-транзисторы идеально подходят для систем впрыска топлива, приложений беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания 48 В, снижающей выбросы CO 2, известной как Board Net.
Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В сертифицированы по стандарту AEC-Q101 для автомобильных приложений и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D- PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти полевые МОП-транзисторы идеально подходят для систем впрыска топлива, приложений беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания 48 В, снижающей выбросы CO 2, известной как Board Net.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Fall Time: | 41 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 410 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 124 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | DirectFET-L8 |
| Part # Aliases: | AUIRF7769L2TR SP001522786 |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 200 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
| Rise Time: | 32 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 92 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 44 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 431 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
