IRFRC20TRLPBF-BE3, MOSFET 600V N-CH
![IRFRC20TRLPBF-BE3, MOSFET 600V N-CH](https://static.chipdip.ru/lib/918/DOC006918618.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 руб.
от 10 шт. —
330 руб.
от 100 шт. —
238 руб.
от 500 шт. —
188.14 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4400@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
Maximum IDSS (uA) | 100 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Supplier Package | DPAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 25 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 18(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 18(Max)@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 350@25V |
Typical Rise Time (ns) | 23 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары