IRFRC20TRLPBF-BE3, MOSFET 600V N-CH

IRFRC20TRLPBF-BE3, MOSFET 600V N-CH
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
420 руб.
от 10 шт.330 руб.
от 100 шт.238 руб.
от 500 шт.188.14 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 420 руб.
Номенклатурный номер: 8008835352
Артикул: IRFRC20TRLPBF-BE3

Описание

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A) 2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 4400@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 600
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 4
Maximum IDSS (uA) 100
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 2500
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Part Status Active
PCB changed 2
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Supplier Package DPAK
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 25
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 18(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 18(Max)@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 350@25V
Typical Rise Time (ns) 23
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 30
Typical Turn-On Delay Time (ns) 10
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1143 КБ
Datasheet
pdf, 1139 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов