IRFR7746
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
550 руб.
от 2 шт. —
450 руб.
от 5 шт. —
377 руб.
от 8 шт. —
354.06 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 550 руб.
Описание
Электроэлемент
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-PAK package, DPAK-3, RoHS
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 59 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 11.2@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 75 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.7 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 99000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | TO-252AA |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 59 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 59@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3107@25V |
Вес, г | 1.28 |
Техническая документация
irfr7746pbf
pdf, 574 КБ
Документация
pdf, 580 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов